Американские санкции отрезали Китай от передовых чипов, поэтому в КНР сделали свою память HBM3E — CXMT запустила предсерийное производство
iXBT.com ·
CXMT выходит на один уровень с SK hynix, Samsung и Micron
Китайская ChangXin Memory Technologies (CXMT) начала предсерийное производство памяти HBM3E — особенно востребованной в ускорителях искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных системах. Если отработка технологического процесса пройдет успешно, переход к более масштабному выпуску может состояться уже в ближайшие недели.
Предсерийное производство необходимо для проверки стабильности технологического процесса, выхода годных кристаллов, упаковки многослойной памяти и соответствия готовых изделий требуемым характеристикам.
Компания параллельно значительно увеличивает производственную базу. Согласно источникам, к концу года совокупная мощность предприятий CXMT по выпуску DRAM должна достичь порядка 350 тыс. обрабатываемых кремниевых пластин в месяц. Дальнейшее расширение запланировано и на последующие годы.
Точные характеристики собственной HBM3E компания пока не раскрыла. В распространенных реализациях этого поколения HBM используется 1024-битный интерфейс на стек, а скорость передачи данных может достигать примерно 9,6 Гбит/с на контакт и выше. При 9,6 Гбит/с теоретическая пропускная способность одного стека достигает 1,2 ТБ/с.
Емкость зависит от используемых кристаллов DRAM и количества слоев. Например, при применении 24-гигабитных кристаллов восьмислойный стек способен обеспечить 24 ГБ памяти.